ALD Grown Dielectrics for Cap on a Chip: Fabrication and Characterization

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APU129470" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PU129470 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISSE.2018.8443766" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ISSE.2018.8443766</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ISSE.2018.8443766" target="_blank" >10.1109/ISSE.2018.8443766</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

ALD Grown Dielectrics for Cap on a Chip: Fabrication and Characterization

Popis výsledku v původním jazyce

Atomic layer deposition (ALD) is a strong method of fabrication of high-k dielectrics with excellent properties. We present the ALD grown high-k CMOS compatible dielectrics used for capacitors on a chip application. Several dielectric films based on Al2O3 and HfO2 were grown on high-conductive silicon wafers and used as on-chip circular capacitors with diameter from 100 to 1500 μm. The effect of the interface between dielectric layers was examined in oxide stuck-based films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition. Performed material, structural and electrical analyses of deposited dielectrics confirmed their highly promising properties for application in new generation of 3D capacitors, semiconductor devices and energy storage element.

Název v anglickém jazyce

ALD Grown Dielectrics for Cap on a Chip: Fabrication and Characterization

Popis výsledku anglicky

Atomic layer deposition (ALD) is a strong method of fabrication of high-k dielectrics with excellent properties. We present the ALD grown high-k CMOS compatible dielectrics used for capacitors on a chip application. Several dielectric films based on Al2O3 and HfO2 were grown on high-conductive silicon wafers and used as on-chip circular capacitors with diameter from 100 to 1500 μm. The effect of the interface between dielectric layers was examined in oxide stuck-based films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition. Performed material, structural and electrical analyses of deposited dielectrics confirmed their highly promising properties for application in new generation of 3D capacitors, semiconductor devices and energy storage element.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

41st International Spring Seminar on Electronics Technology ISSE2018

ISBN

9781538657317

ISSN

2161-2528

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1-5

Název nakladatele

IEEE Computer Society

Místo vydání

Serbia

Místo konání akce

Zlatibor

Datum konání akce

16. 5. 2018

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000449866600087