Al2O3/HfO2 heterogenní kapacitor na čipu

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F19%3APR32629" target="_blank" >RIV/00216305:26220/19:PR32629 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=145" target="_blank" >http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=145</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Al2O3/HfO2 heterogenní kapacitor na čipu
Popis výsledku v původním jazyce
Jedná se o planární kapacitor s heterogenní strukturou dielektrika o nominální tloušťce 10 nm. Dielektrikum je tvořeno střídavým vrstvením Al2O3 a HfO2 o tloušťkách ~1 nm, nanesených pomocí depozice atomárních vrstev (ALD). Kapacitory jsou umístěny na křemíkovém substrátu-čipu tvořícím spodní elektrodu. Horní elektroda je tvořena 250 nm napařeného zlata. Tato elektroda je vytvořena metodou Lift-Off. Kapacitory s proměnnou plochou jsou sdruženy na čipu v podobě testovacího pole.
Název v anglickém jazyce
Al2O3/HfO2 heterogeneous capacitor on a chip
Popis výsledku anglicky
It is a planar capacitor with a heterogeneous dielectric structure with a nominal thickness of 10 nm. The dielectric consists of alternating layers of Al2O3 and HfO2 with thicknesses of ~ 1 nm, deposited by means of atomic layer deposition (ALD). Capacitors are placed on the silicon substrate-chip forming the bottom electrode. The upper electrode consists of 250 nm of evaporated gold. This electrode is made by Lift-Off method. Variable area capacitors are grouped on a chip in the form of a test field.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu
CAPOC P01
Číselná identifikace
161309
Technické parametry
Funkční vzorek byl na základě návrhu zkonstruován a ověřen. Je využíván na pracovišti řešitele LabSensNano (VUT v Brně, Technická 3058/10, 616 00 Brno, Česká republika). Velikost čipu: 12 x 12 mm Velikost kondenzátorů: průměr 200 ÷ 3000 µm Tloušťka dielektrika: 10 nm Kapacita: ~1x10-12 F.µm-2 Svodový proud ~1x10-9 A.cm-2
Ekonomické parametry
Vývoj a realizace 300 tis. Kč, know-how 100 tis. Kč
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
—
Název vlastníka
Ústav mikroelektroniky
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=145

Podobné výsledky(10)