Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The Nonconductive Sputtered Thin Film Layer

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F19%3A00342614" target="_blank" >RIV/68407700:21230/19:00342614 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2019/Cislo2_2019/r13c2c1.pdf" target="_blank" >http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2019/Cislo2_2019/r13c2c1.pdf</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    The Nonconductive Sputtered Thin Film Layer

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The work is focused on topic of dielectrics layers prepared by thin film layer technology, specifically by sputtering. Set of samples of thin film capacitors was prepared. Samples differ by different conditions of preparation of dielectric layer. Dielectric layers were deposited by sputtering of Al2O3on glass substrate. The measured parameters were the electrical capacity and thickness of the dielectric layer. Thickness was obtained with help of device using the stylus method. The main evaluated parameters are the capacity and thickness of thin film capacitors in dependence on the deposition process conditions–plasma power and deposition time.

  • Název v anglickém jazyce

    The Nonconductive Sputtered Thin Film Layer

  • Popis výsledku anglicky

    The work is focused on topic of dielectrics layers prepared by thin film layer technology, specifically by sputtering. Set of samples of thin film capacitors was prepared. Samples differ by different conditions of preparation of dielectric layer. Dielectric layers were deposited by sputtering of Al2O3on glass substrate. The measured parameters were the electrical capacity and thickness of the dielectric layer. Thickness was obtained with help of device using the stylus method. The main evaluated parameters are the capacity and thickness of thin film capacitors in dependence on the deposition process conditions–plasma power and deposition time.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>ost</sub> - Ostatní články v recenzovaných periodicích

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ElectroScope

  • ISSN

    1802-4564

  • e-ISSN

    1802-4564

  • Svazek periodika

    2019

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus