The Thin Film Capacitors with AlN Dielectric
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00171381" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00171381 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Thin Film Capacitors with AlN Dielectric
Popis výsledku v původním jazyce
The work is focused on thin film technologies especially on sputtering of dielectric thin film layers. The AlN dielectric layer was prepared by reactive high frequency sputtering from aluminum target in nitrogen atmosphere. Dielectric layers were deposited at different conditions of sputtering. The power plasma generator and time of sputtering were changed in useful range. Part of work is concerned to investigation of dependence of electrical capacity of thick film capacitors on thickness of dielectriclayer. Thickness and thus electrical capacity are depending on distance between target and substrate. Thickness of dielectric layer was measured by using of confocal microscope.
Název v anglickém jazyce
The Thin Film Capacitors with AlN Dielectric
Popis výsledku anglicky
The work is focused on thin film technologies especially on sputtering of dielectric thin film layers. The AlN dielectric layer was prepared by reactive high frequency sputtering from aluminum target in nitrogen atmosphere. Dielectric layers were deposited at different conditions of sputtering. The power plasma generator and time of sputtering were changed in useful range. Part of work is concerned to investigation of dependence of electrical capacity of thick film capacitors on thickness of dielectriclayer. Thickness and thus electrical capacity are depending on distance between target and substrate. Thickness of dielectric layer was measured by using of confocal microscope.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
NANOCON 2010
ISBN
978-80-87294-18-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Tanger
Místo vydání
Ostrava
Místo konání akce
Olomouc
Datum konání akce
12. 10. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—