Vliv technologického procesu na vlastnosti tenkovrstvého kondenzátoru

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147510" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147510 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Influence of Technological Process on Properties of Thin Film Capacitors
Popis výsledku v původním jazyce
The work is focused on problematic of thin film dielectric layers prepared by sputtering technology. The dielectric layer made from corundum and aluminum nitride were prepared and analyzed. Dependence of properties (capacity) on parameters of technological process of deposition of layer was analyzed. Sputter deposition of dielectric layers is realized by sputtering at high frequency.
Název v anglickém jazyce
The Influence of Technological Process on Properties of Thin Film Capacitors
Popis výsledku anglicky
The work is focused on problematic of thin film dielectric layers prepared by sputtering technology. The dielectric layer made from corundum and aluminum nitride were prepared and analyzed. Dependence of properties (capacity) on parameters of technological process of deposition of layer was analyzed. Sputter deposition of dielectric layers is realized by sputtering at high frequency.

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)