The Sputtered Aluminium Thin Film

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00224699" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00224699 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

The Sputtered Aluminium Thin Film

Popis výsledku v původním jazyce

The work is concerned about thin film prepared by methods of physical vapor deposition. The thin film aluminum layers were prepared, measured and analyzed. Tested layers were deposited by technology of sputtering from aluminum target on glass substrate.The properties of thin film layers such as electrical resistance and thickness were measured. The thickness of layer was evaluated from scanned profile of sample surface by stylus method. Obtained experimental data were investigated in dependence to parameters of depositing process. The different conditions of sputtering process used for sample preparation were set up by combinations of power of plasma and time of deposition process.

Název v anglickém jazyce

The Sputtered Aluminium Thin Film

Popis výsledku anglicky

The work is concerned about thin film prepared by methods of physical vapor deposition. The thin film aluminum layers were prepared, measured and analyzed. Tested layers were deposited by technology of sputtering from aluminum target on glass substrate.The properties of thin film layers such as electrical resistance and thickness were measured. The thickness of layer was evaluated from scanned profile of sample surface by stylus method. Obtained experimental data were investigated in dependence to parameters of depositing process. The different conditions of sputtering process used for sample preparation were set up by combinations of power of plasma and time of deposition process.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2014

ISBN

978-80-214-4985-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

37-41

Název nakladatele

Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

25. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—