Dependence of the 6H - SiC induced amorphization on the ion beam implanted fluence
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F23%3APU148616" target="_blank" >RIV/00216305:26220/23:PU148616 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://pubs.aip.org/aip/acp/article/2778/1/060002/2888698/" target="_blank" >https://pubs.aip.org/aip/acp/article/2778/1/060002/2888698/</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/5.0136670" target="_blank" >10.1063/5.0136670</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Dependence of the 6H - SiC induced amorphization on the ion beam implanted fluence
Popis výsledku v původním jazyce
The 6H-SiC samples have been implanted by 4 MeV C and Si ions in the (0001) channeling direction to the sets of multiple implantation fluences. These samples were analyzed via Elastic Backscattering Spectroscopy in the channeling mode (EBS/C) using 1.725 MeV proton beam, from which SiC amorphization depth profiles and averaged integral 6H-SiC amorphization have been obtained. The averaged integral 6H-SiC crystal amorphization vs implanted fluence dependence has been determined for both types of implanted ions. From these dependences, the 6H-SiC integral crystal amorphization vs. implanted fluence/type of implanted atom assessment model have been proposed.
Název v anglickém jazyce
Dependence of the 6H - SiC induced amorphization on the ion beam implanted fluence
Popis výsledku anglicky
The 6H-SiC samples have been implanted by 4 MeV C and Si ions in the (0001) channeling direction to the sets of multiple implantation fluences. These samples were analyzed via Elastic Backscattering Spectroscopy in the channeling mode (EBS/C) using 1.725 MeV proton beam, from which SiC amorphization depth profiles and averaged integral 6H-SiC amorphization have been obtained. The averaged integral 6H-SiC crystal amorphization vs implanted fluence dependence has been determined for both types of implanted ions. From these dependences, the 6H-SiC integral crystal amorphization vs. implanted fluence/type of implanted atom assessment model have been proposed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10304 - Nuclear physics
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
AIP Conference Proceedings 2778 - 27th Conference on Applied Physics of Condensed Matter (APCOM 2022)
ISBN
978-0-7354-4479-9
ISSN
0094-243X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1-5
Název nakladatele
American Institute of Physics Inc.
Místo vydání
AIP College Park, Maryland, USA Physical Science
Místo konání akce
Štrbské Pleso, Slovakia
Datum konání akce
22. 6. 2022
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
001055613400055