Effects of gate boosting on gate oxide reliability and lifetime estimation of commercially available MOSFETs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F26%3A0198661" target="_blank" >RIV/00216305:26220/26:0198661 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.eeict.cz/eeict_download/archiv/sborniky/EEICT_2025_sbornik_1.pdf" target="_blank" >https://www.eeict.cz/eeict_download/archiv/sborniky/EEICT_2025_sbornik_1.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effects of gate boosting on gate oxide reliability and lifetime estimation of commercially available MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
This paper presents a method of estimating gate oxide reliability and lifetime of commercially available MOSFETs. The estimation is calculated for the specific condition that is present when gate boosting is used as a gate driving method. The effects of overvoltage are presented as well as calculation of the expected lifetime of a MOSFET when gate boosting is used.
Název v anglickém jazyce
Effects of gate boosting on gate oxide reliability and lifetime estimation of commercially available MOSFETs
Popis výsledku anglicky
This paper presents a method of estimating gate oxide reliability and lifetime of commercially available MOSFETs. The estimation is calculated for the specific condition that is present when gate boosting is used as a gate driving method. The effects of overvoltage are presented as well as calculation of the expected lifetime of a MOSFET when gate boosting is used.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2025
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings I of the 31st Conference STUDENT EEICT 2025
ISBN
978-80-214-6321-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
266-270
Název nakladatele
Brno University of Technology, Faculty of Elektronic Engineering and Communication
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
29. 4. 2025
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—