Photoconductivity of CdTe Semiconductor Radiation Detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F13%3APU106476" target="_blank" >RIV/00216305:26620/13:PU106476 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photoconductivity of CdTe Semiconductor Radiation Detectors

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents the results of experimental studies of transport and noise characteristics of CdTe deterctors. The current ? voltage (I-V) characteristics and noise spectral densities were measured at the room temperature in dark and illumination through the contact area. We found that in this sample are good ohmic contacts and then measured noise corresponds volume noise sources only. The dominant noise source is 1/f type. One sample met the criteria to assumed bz the Hooge model. The Hooge constant for this sample was found: 5.5x10^-2. This value is higher than 2x10^-3 proposed by the Hooge theory due to the contact noise sources. Nevertheless, this value is very close to the theoretical.

Název v anglickém jazyce

Photoconductivity of CdTe Semiconductor Radiation Detectors

Popis výsledku anglicky

This paper presents the results of experimental studies of transport and noise characteristics of CdTe deterctors. The current ? voltage (I-V) characteristics and noise spectral densities were measured at the room temperature in dark and illumination through the contact area. We found that in this sample are good ohmic contacts and then measured noise corresponds volume noise sources only. The dominant noise source is 1/f type. One sample met the criteria to assumed bz the Hooge model. The Hooge constant for this sample was found: 5.5x10^-2. This value is higher than 2x10^-3 proposed by the Hooge theory due to the contact noise sources. Nevertheless, this value is very close to the theoretical.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

International Journal of Computer Science and Electronics Engineering

ISSN

2320-401X

e-ISSN

—

Svazek periodika

1

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

IN - Indická republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

31-34

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—