Resistive Switching in Self-ordered TiO2 Nanocolumn Arrays

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F16%3APU121289" target="_blank" >RIV/00216305:26620/16:PU121289 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Resistive Switching in Self-ordered TiO2 Nanocolumn Arrays
Popis výsledku v původním jazyce
Modulation of electrical resistance (resistance switching) by voltage applied to or by current flowing through a device is a growing research field nowadays with the potential of the devices to be utilized for memory applications. Switching phenomena have been observed in numerous materials, including some dielectric binary oxides, for exaple in TiO2. Self ordered TiO2 nanocolumn arrays with electrochemical methods were prepared. Electrical characterization of these layers showed promising memristive behavior.
Název v anglickém jazyce
Resistive Switching in Self-ordered TiO2 Nanocolumn Arrays
Popis výsledku anglicky
Modulation of electrical resistance (resistance switching) by voltage applied to or by current flowing through a device is a growing research field nowadays with the potential of the devices to be utilized for memory applications. Switching phenomena have been observed in numerous materials, including some dielectric binary oxides, for exaple in TiO2. Self ordered TiO2 nanocolumn arrays with electrochemical methods were prepared. Electrical characterization of these layers showed promising memristive behavior.

Projekt
<a href="/cs/project/GJ15-23005Y" target="_blank" >GJ15-23005Y: Vytváření a vlastnosti polí nanosloupků založených na TiO2 za využití anodické oxidace dopovaných vrstev titanu pomocí porézní aluminy</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)