Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Temperature Dependence of Leakage Current Degradation of Tantalum Capacitors at High Electric Field

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F17%3APU124680" target="_blank" >RIV/00216305:26620/17:PU124680 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Temperature Dependence of Leakage Current Degradation of Tantalum Capacitors at High Electric Field

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Tantalum capacitors have been the preferred capacitor technology in long lifetime electronic devices thanks to the stability of its electric parameters and high reliability. However, long time application of elevated temperature and high electric field can result in capacitor leakage current increase in time. In this paper the effect of ions drift and diffusion at different temperatures on DCL degradation is analysed. DCL vs. time characteristics at temperatures from 65C to 155C were studied in order to determine the parameters of leakage current ageing. Results for four technologies are presented and it is shown that capacitor technology has crucial impact on DCL vs. time characteristics. These experiments are used to determine the background temperature at which DCL degradation starts with respect to the value of electric field. There exists background temperature under which the thermal excitation is not sufficient for give rise to the ions movement. This background temperature is higher than 105C for technology IS4 while for technology IS3 this temperature is 65C only.

  • Název v anglickém jazyce

    Temperature Dependence of Leakage Current Degradation of Tantalum Capacitors at High Electric Field

  • Popis výsledku anglicky

    Tantalum capacitors have been the preferred capacitor technology in long lifetime electronic devices thanks to the stability of its electric parameters and high reliability. However, long time application of elevated temperature and high electric field can result in capacitor leakage current increase in time. In this paper the effect of ions drift and diffusion at different temperatures on DCL degradation is analysed. DCL vs. time characteristics at temperatures from 65C to 155C were studied in order to determine the parameters of leakage current ageing. Results for four technologies are presented and it is shown that capacitor technology has crucial impact on DCL vs. time characteristics. These experiments are used to determine the background temperature at which DCL degradation starts with respect to the value of electric field. There exists background temperature under which the thermal excitation is not sufficient for give rise to the ions movement. This background temperature is higher than 105C for technology IS4 while for technology IS3 this temperature is 65C only.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LQ1601" target="_blank" >LQ1601: CEITEC 2020</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    PCSN 2017 Proceedings

  • ISBN

    978-80-905768-8-9

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    128-136

  • Název nakladatele

    Ing. Vladislav Pokorný - LITERA BRNO, Tábor 43a, 612 00 Brno

  • Místo vydání

    Česká republika

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    12. 9. 2017

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku