Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Mechanical strain and electric-field modulation of graphene transistors integrated on MEMS cantilevers

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F22%3APU142766" target="_blank" >RIV/00216305:26620/22:PU142766 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/70883521:28110/22:63548719

  • Výsledek na webu

    <a href="https://link.springer.com/article/10.1007/s10853-021-06846-6" target="_blank" >https://link.springer.com/article/10.1007/s10853-021-06846-6</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10853-021-06846-6" target="_blank" >10.1007/s10853-021-06846-6</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Mechanical strain and electric-field modulation of graphene transistors integrated on MEMS cantilevers

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This work proposes a structure which allows characterization of graphene monolayers under combined electric field and mechanical strain modulation. Our approach is based on a cantilever integrated into a two-dimensional graphene-based field effect transistor (FET). This allows us to change graphene properties either separately or together via two methods. The first way involves electric field induced by the gate. The second is induction of mechanical strain caused by external force pushing the cantilever up or down. We fabricated devices using silicon-on-insulator wafer with practically zero value of residual stress and a high‑ quality dielectric layer which allowed us to precisely characterize structures using both mentioned stimuli. We used the electric field/strain interplay to control resistivity and position of the charge neutrality point often described as the Dirac point of graphene. Furthermore, values of cantilever to bend after the structure is released. Our device demonstrates a novel method of tuning the physical properties of graphene in silicon and/or complementary metal‑oxide‑semiconductor technology, and is thus promising for tunable physical or chemical sensors.

  • Název v anglickém jazyce

    Mechanical strain and electric-field modulation of graphene transistors integrated on MEMS cantilevers

  • Popis výsledku anglicky

    This work proposes a structure which allows characterization of graphene monolayers under combined electric field and mechanical strain modulation. Our approach is based on a cantilever integrated into a two-dimensional graphene-based field effect transistor (FET). This allows us to change graphene properties either separately or together via two methods. The first way involves electric field induced by the gate. The second is induction of mechanical strain caused by external force pushing the cantilever up or down. We fabricated devices using silicon-on-insulator wafer with practically zero value of residual stress and a high‑ quality dielectric layer which allowed us to precisely characterize structures using both mentioned stimuli. We used the electric field/strain interplay to control resistivity and position of the charge neutrality point often described as the Dirac point of graphene. Furthermore, values of cantilever to bend after the structure is released. Our device demonstrates a novel method of tuning the physical properties of graphene in silicon and/or complementary metal‑oxide‑semiconductor technology, and is thus promising for tunable physical or chemical sensors.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20501 - Materials engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Materials Science

  • ISSN

    0022-2461

  • e-ISSN

    1573-4803

  • Svazek periodika

    57

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    13

  • Strana od-do

    1923-1935

  • Kód UT WoS článku

    000739772900001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85122377631