Prototyp systému na bázi duálního svazku (SEM/plazmatický fokusovaný iontový zdroj) určený k analýzám v polovodičovém průmyslu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F01733214%3A_____%2F14%3A00000003" target="_blank" >RIV/01733214:_____/14:00000003 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Prototyp systému na bázi duálního svazku (SEM/plazmatický fokusovaný iontový zdroj) určený k analýzám v polovodičovém průmyslu

Popis výsledku v původním jazyce

Výsledkem je prototyp elektronového mikroskopu na bázi FERA3 se Schottkyho autoemisní katodou a extra velkou analytickou komorou určený pro práci ve vysokém vakuu, kombinovaný s fokusovaným iontovým svazkem na bázi Xe plasmatu (i-FIB) se sníženým proudem na 1uA. Vyvinutý systém má unikátní vlastnosti uzpůsobené na míru požadavkům z polovodičového průmyslu. Integrace Xenonového plasmového zdroje iontů přináší možnost efektivního obrábění polovodičových vzorků. Speciálně upravená komora mikroskopu umožňuje analýzu 300 mm desek a možnost prozkoumat 150 mm desky bez rotace. Integrace jednotlivých detekčních technik pak umožňují komplexní analýzu polovodičového vzorku. Dle specifických požadavků polovodičových laboratoří byl vyvinut softwarový modul pro navigaci po waferu za pomoci CAD navigačních dat spolupracující se zobrazovacím systémem Camelot a navigace pomocí tabulky defektů z KLA inspekčních mikroskopů. Dle požadavků pro editaci integrovaných obvodů bylo vyvinuto softwarové rozšíření DrawBeamu pro monitorování síly signálu během mletí FIBem k určení kontaktu s podpovrchovými propojkami.

Název v anglickém jazyce

Prototype of a dual-beam scanning electron microscope with a focused ion beam for analyses in the semiconductor industry

Popis výsledku anglicky

The result is a prototype of an electron microscope based on the FERA3 system with a Schottky field emission cathode and an extra large analytical chamber designed to work in high vacuum, combined with the Xe-plasma focused ion beam (i-FIB) with current reduced to 1uA. The developed system has unique features tailored to fit the requirements of the semiconductor industry. Integration of the xenon plasma ion source provides the possibility of efficient machining of semiconductor samples. The specially adapted microscope chambre enables the analysis of 300 mm wafers and the allows exploration of a 150 mm wafer without rotation. Integratiof the various detection techniques enables comprehensive analysis of semiconductor samples. According to the specific requirements of the semiconductor laboratory we developed a dedicated software module for navigating a wafer using CAD navigation data, working hand in hand with the Camelot display system and navigation according to the defect tables from KLA inspection microscopes. A software extension in DrawBeam was tailored to the requirements for editing integrated circuits for monitoring signal strength during FIB milling while working with with buried contacts.

Druh

G_prot - Prototyp

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

FERA pro polovodičový průmysl

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Nagavalli S. Kiran, kiran@tescan.cz; 530 353 131

Ekonomické parametry

Prototyp přístroje bude v roce 2015 instalován u uživatele z řad výrobců integrovaných obvodů. Očekáváme růst zisku plynoucí z diversifikace produktového portfolia.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

01733214

Název vlastníka

TESCAN Brno, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—