Vytvoření laboratorního pracoviště k přípravě, analýze a vyhodnocování vzorků z polovodičové výroby ON SEMICONDUCTOR

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F15%3A%230000093" target="_blank" >RIV/26821532:_____/15:#0000093 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Vytvoření laboratorního pracoviště k přípravě, analýze a vyhodnocování vzorků z polovodičové výroby ON SEMICONDUCTOR

Popis výsledku v původním jazyce

Výsledkem projektu je vytvoření laboratorního pracoviště využívajícího duálního systému Plasma Xe FIB-SEM osazeného detektory umožňujícími užití dalších analytických technik (CL, EBIC, EDX, EBSD). Pracoviště je začleněno do stávající struktury laboratoříON SEMICONDUCTOR a bude sloužit k analýzám výroby křemíkového substrátu, výroby polovodičových struktur, v oblasti designu nových struktur, vývoje nových technologií výroby, procesní a výstupní kontroly i k analýzám vad finálních produktů. Pracoviště bude díky metodě FIB zahrnovat i přípravu polovodičových vzorků k vlastním analýzám. Díky novým analytickým metodám a rozšířeným možnostem analýzy založených na Plasma Xe FIB-SEM systému bude nové pracoviště vhodně doplňovat a rozšiřovat současné možnostilaboratoří ON SEMICONDUCTOR v Rožnově pod Radhoštěm. Standardní metodiky, které se využívají k analýzám v polovodičovém průmyslu, je možné doplnit a zefektivnit použitím Plasma Xe FIB-SEM mikroskopu. Mezi zásadní faktory jeho použití patř

Název v anglickém jazyce

Construction of semiconductor lab for FIB SEM in ON SEMICONDUCTOR

Popis výsledku anglicky

The construction of semiconductor laboratory for Xe Plasma FIB-SEM is the crucial goal of AMISPEC, especially with potential synergy of other analytical techniques (EBIC, EDX, EBSD). The workplace is integrated into the existing structure ON SEMICONDUCTOR laboratories and will serve to analysis of production of semiconductor substrates and device, in the design of new structures, the development of new production technology, process and final inspection and defect analysis to final products. Thanks to new analytical methods, and extensive analysis based on plasma Xe FIB-SEM system, the new workplace appropriately complement and expand the current capabilities of laboratories ON SEMICONDUCTOR in Rožnov. Utilization of Xe Plasma FIB-SEM microscope opensnew opportunities for effective analyses in semiconductor industry. The crucial factors for its use include increased accuracy and repeatability of processes, while shortening preparation times. Non-destructive analysis of semiconductor w

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

TE01020233V004:- Čisté prostory V20

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Plasma Xe FIB-SEM, EDX, STEM, komora pro nedestruktivní analýzy desek do průměru 300 mm, pro desky průměru 150 mm bez jejich rotace. Výsledek využije ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o. (IČ 26821532) ve vlastní výrobě. Odpovědná osoba: Michal Lorenc,ON SEMICONDUCTOR, 1. máje 2230, 7561 61 Rožnov p.R., +420 571 754 507, michal.lorenc@onsemi.com.

Ekonomické parametry

Výše investice do zprovoznění technologie(vybudování čistých prostor): 0,5 mil. USD. Potenciál k úspoře nákladů100 - 200 tis. USD/rok (eleiminace externích analýz, využití úprav vzorků FIB, zrychlení komplexních analýz).

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—