Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Metodika provádění analýz na zařízení Xe Plasma FIB-SEM

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F16%3AN0000009" target="_blank" >RIV/26821532:_____/16:N0000009 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Metodika provádění analýz na zařízení Xe Plasma FIB-SEM

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Metodika provádění analýz na zařízení Xe Plasma FIB-SEM byla shrnuta v pracovním postupu „12MON19412G: Obsluha elektronového mikroskopu s iontovým svazkem Plasma Xe FIB/SEM FERA3 TESCAN / Dual Beam FIB/SEM Work Instructions“ řízeném v korporátním systému AGILE ON Semiconductor. Vlastníkem dokumentu je Vladislav Hrachovec, verze A byla vydána 30. 12. 2016, rozsah dokumentu je 150 str. Řízená dokumentace zahrnuje popis metod, přípravy vzorků, návod k provádění analýzy a obsluze zařízení v rozsahu ověřené technologie úprav a vyhodnocování vzorků. Na instalovaném zařízení bylo uvedeným postupem v roce 2016 provedeno více než 300 standardních analýz s odpovídajícími dílčími zprávami v oblastech: FA (Failure Analysis – analýzy selhání), NPD (New Process Development – analýzy pro kvalifikace nových výrobních postupů), R&D (podpora vývoje nových materiálů a technologií). Výsledky byly bez výhrad akceptovány v souladu se standardy polovodičového průmyslu a normami jakosti ISO.

  • Název v anglickém jazyce

    The methodology for performing Xe Plasma FIB-SEM analyzes

  • Popis výsledku anglicky

    The methodology for performing Xe Plasma FIB-SEM analyzes was summarized in the document “12MON19412G: Plasma Xe FIB / SEM FERA3 TESCAN / Dual Beam FIB / SEM Work Instructions”, run in the AGILE ON Semiconductor corporate system. The owner of the document is Vladislav Hrachovec, version A was released on December 30, 2016, the scope of the document is 150 pages. Controlled documentation includes description of methods, preparation of samples, instructions for analysis and operation of the equipment within the scope of proven technology of sample modification and evaluation. The above procedure was carried out in 2016 with more than 300 standard analyzes with corresponding sub-reports in the following areas: FA (Failure Analysis), NPD (New Process Development Qualifications), R&D of materials and technologies). The results were unconditionally accepted in accordance with the standards of the semiconductor industry and the ISO quality standards.

Klasifikace

  • Druh

    Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    12MON19412G

  • Číselná identifikace

    TE01020233-2016V003

  • Technické parametry

    12MON19412G: Obsluha elektronového mikroskopu s iontovým svazkem Plasma Xe FIB/SEM FERA3 TESCAN / Dual Beam FIB/SEM Work Instructions“ řízeném v korporátním systému AGILE ON Semiconductor. Vlastníkem dokumentu je Vladislav Hrachovec, verze A byla vydána 30. 12. 2016, rozsah dokumentu je 150 str. Řízená dokumentace zahrnuje popis metod, přípravy vzorků, návod k provádění analýzy a obsluze zařízení v rozsahu ověřené technologie úprav a vyhodnocování vzorků.

  • Ekonomické parametry

    Komplexní polovodičová platforma Plasma Xe FIB SEM má referenční hodnotu 30 mil. Kč. Počet standardních analýz polovodičových materiálů a součástek >300/rok.

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    26821532

  • Název vlastníka

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem