Precision Xe Plasma FIB Delayering for Physical Failure Analysis of sub-20 nm Microprocessor Devices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F01733214%3A_____%2F17%3AN0000004" target="_blank" >RIV/01733214:_____/17:N0000004 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://asm.confex.com/asm/istfa17/webprogram/Paper44251.html" target="_blank" >https://asm.confex.com/asm/istfa17/webprogram/Paper44251.html</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Precision Xe Plasma FIB Delayering for Physical Failure Analysis of sub-20 nm Microprocessor Devices

Popis výsledku v původním jazyce

Deprocessing is an essential step in the physical failure analysis of ICs. Typically this is accomplished by techniques such as wet chemical methods, RIE and mechanical manual polishing. Manual polishing suffers from highly non-uniform delayering particularly for sub-20nm technologies due to aggressive back-end-of-line (BEOL) scaling and porous ultra low-k dielectric films. Recently gas assisted Xe plasma FIB has demonstrated uniform delayering of the metal and dielectric layers achieving a planar surface of heterogeneous materials. In this paper, we present the successful application of this technique to delayer sub-20 nm microprocessor chips with real defects to root cause the failure.

Název v anglickém jazyce

Precision Xe Plasma FIB Delayering for Physical Failure Analysis of sub-20 nm Microprocessor Devices

Popis výsledku anglicky

Deprocessing is an essential step in the physical failure analysis of ICs. Typically this is accomplished by techniques such as wet chemical methods, RIE and mechanical manual polishing. Manual polishing suffers from highly non-uniform delayering particularly for sub-20nm technologies due to aggressive back-end-of-line (BEOL) scaling and porous ultra low-k dielectric films. Recently gas assisted Xe plasma FIB has demonstrated uniform delayering of the metal and dielectric layers achieving a planar surface of heterogeneous materials. In this paper, we present the successful application of this technique to delayer sub-20 nm microprocessor chips with real defects to root cause the failure.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Projekt

<a href="/cs/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ISTFA 2017: Proceedings from the 43rd International Symposium for Testing and Failure Analysis

ISBN

978-1-62708-150-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

ASM International

Místo vydání

Pasadena

Místo konání akce

Pasadena

Datum konání akce

1. 1. 2017

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—