Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Improvement of Top-down Delayering Techniques on Advanced Technology Nodes

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F01733214%3A_____%2F16%3AN0000003" target="_blank" >RIV/01733214:_____/16:N0000003 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://ieeexplore.ieee.org/document/7564253/" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/document/7564253/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/IPFA.2016.7564253" target="_blank" >10.1109/IPFA.2016.7564253</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Improvement of Top-down Delayering Techniques on Advanced Technology Nodes

  • Popis výsledku v původním jazyce

    An improved method of a planar IC sample delayering by FIB is proposed. The sample cleaving and FIB milling from two directions increases the quality of the delayered area. SEM allows accurate endpointing of the delayering on the layer of interest. The method allows to increase the delayered sample area significantly.

  • Název v anglickém jazyce

    Improvement of Top-down Delayering Techniques on Advanced Technology Nodes

  • Popis výsledku anglicky

    An improved method of a planar IC sample delayering by FIB is proposed. The sample cleaving and FIB milling from two directions increases the quality of the delayered area. SEM allows accurate endpointing of the delayering on the layer of interest. The method allows to increase the delayered sample area significantly.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits

  • ISSN

    1946-1550

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    “neuveden”

  • Číslo periodika v rámci svazku

    July 2106

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    81-85

  • Kód UT WoS článku

    000389243200019

  • EID výsledku v databázi Scopus