Rychlý scintilátor s InGaN/GaN heterostrukturou

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25296558%3A_____%2F24%3AN0000009" target="_blank" >RIV/25296558:_____/24:N0000009 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/24:00605285

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.gov.cz/webapp/!resdb.pta.frm" target="_blank" >https://isdv.upv.gov.cz/webapp/!resdb.pta.frm</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Rychlý scintilátor s InGaN/GaN heterostrukturou

Popis výsledku v původním jazyce

Luminiscenční epitaxní struktura s dvojicemi InGaN kvantových jam a bariér z GaN, připravená na podkladové vrstvě z GaN, InGaN nebo InAlGaN, která je nerovinná, tvořená spontánně vytvořenými šikmými semipolárními ploškami. Semipolární plošky mohou tvořit buď šestiboké jehlany obrácené vrcholem k podkladové vrstvě nebo mohou tvořit nepravidelnou morfologií s prohlubněmi a hřebeny. Dvojic kvantových jam může být 1 až 160 podle typu excitace struktury pro luminiscenční aplikaci. Podkladová vrstva je připravována v dusíkové atmosféře za teploty 880 °C nebo nižší z prekurzoru TEGa a čpavku. Doba přípravy je dána úplným pokrytím povrchu semipolárními ploškami, lze ji zkrátit zvýšením rychlosti epitaxe nebo zvýšením hustoty dislokací pomocí vhodné nukleační vrstvy. Epitaxe na takto strukturovaném podkladu snižuje nežádoucí kontaminaci aktivní oblasti s kvantovými jamami např. Mg nebo Zn atomy. Tím dochází k potlačení luminiscence defektů a žádoucímu výraznému zkrácení luminiscenčního dosvitu vzorků s InGaN kvantovými jamami.

Název v anglickém jazyce

Fast scintillator with InGaN/GaN heterostructure

Popis výsledku anglicky

The luminescent epitaxial structure with couples of InGaN quantum wells and barriers from z GaN, prepared on a base layer from GaN, InGaN or InAlGaN, which is non-planar, consisting of spontaneously created angled semipolar surfaces. The semipolar surfaces can form either hexagonal pyramids with the summit turned towards the base layer, or they can form an irregular morphology with depressions and ridges. There may be 1 to 160 couples of quantum wells depending on the type of excitation of the structure for luminescent application. The base layer is prepared in nitrogen atmosphere at 880 °C or lower from TEGa precursor and ammonia. The time of preparation depends on the complete coating of the surface with semipolar surfaces, it can be reduced by increasing the speed of epitaxy or increasing the dislocation density using a suitable nucleation layer. The epitaxy on such structured base decreases an undesirable contamination of the active area with quantum wells e.g. by Mg or Zn atoms. That results in the suppression of luminescence of defects and desirable significant shortening of luminescence afterglow of the samples with InGaN quantum wells.

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Projekt

<a href="/cs/project/FW03010298" target="_blank" >FW03010298: Průlomové optoelektronické materiály pro přístrojovou techniku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Číslo patentu nebo vzoru

310121

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

18. 7. 2024

Název vlastníka

CRYTUR, spol. s r.o.; Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence