Výroba pokročilé křemíkové desky pro sub-mikronové technologie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F06%3A%230000006" target="_blank" >RIV/26821532:_____/06:#0000006 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Advanced Silicon Wafer Manufacturing for Sub-Micron Technologies

Popis výsledku v původním jazyce

We discuss possibilities of development of silicon wafers for advanced sub-micron semiconductor technologies. We are focused on both bulk and surface properties of 150 mm silicon wafers. Due to complexity of the matter we demonstrate only the major itemsand publish our main results. Silicon crystal bulk properties are related to process parameters of crystal growth. We successfully use computer simulation of the process. Verified computer model gives us an important view to the hardly measurable parameters necessary for understanding thermal history and corresponding bulk properties of silicon ingot. We also study possibilities of significant wafer flatness improvement. All results are valuable for development of advanced silicon wafers with larger diameter.

Název v anglickém jazyce

Advanced Silicon Wafer Manufacturing for Sub-Micron Technologies

Popis výsledku anglicky

We discuss possibilities of development of silicon wafers for advanced sub-micron semiconductor technologies. We are focused on both bulk and surface properties of 150 mm silicon wafers. Due to complexity of the matter we demonstrate only the major itemsand publish our main results. Silicon crystal bulk properties are related to process parameters of crystal growth. We successfully use computer simulation of the process. Verified computer model gives us an important view to the hardly measurable parameters necessary for understanding thermal history and corresponding bulk properties of silicon ingot. We also study possibilities of significant wafer flatness improvement. All results are valuable for development of advanced silicon wafers with larger diameter.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/FI-IM2%2F131" target="_blank" >FI-IM2/131: *Výzkum a vývoj pokročilé křemíkové desky pro sub-mikronové technologie.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

SILICON 2006

ISBN

80-239-7781-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

418-422

Název nakladatele

TECON Scientific, s.r.o. (ed. K. Vojtěchovský)

Místo vydání

Rožnov pod Radhoštěm (CZ)

Místo konání akce

Rožnov pod Radhoštěm (CZ)

Datum konání akce

7. 11. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—