Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Polycrystalline silicon layers with enhanced thermal stability

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000028" target="_blank" >RIV/26821532:_____/11:#0000028 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://www.scientific.net/SSP.178-179.385" target="_blank" >http://www.scientific.net/SSP.178-179.385</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.178-179.385" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/SSP.178-179.385</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Polycrystalline silicon layers with enhanced thermal stability

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report on a new method of external gettering in Si substrate for semiconductor application. The proposed method is based on the deposition of a multilayer system formed by introducing a number of thin buried silicon oxide layers into the thick polycrystalline silicon layer deposited on the wafer backside. Oxide films af a few nanometer thickness significantly retard both the grain growth and subsequent loss of the gettering capability of the polycrystalline silicon layer during high temperature annealing. The mechanisms of the grain growth and the influence of the embedded oxide layers on the gettering function in the multilayer system are discussed. We used SEM and TEM for characterization of the multilayer system, and intentional contamination fordemonstration of gettering properties.

  • Název v anglickém jazyce

    Polycrystalline silicon layers with enhanced thermal stability

  • Popis výsledku anglicky

    We report on a new method of external gettering in Si substrate for semiconductor application. The proposed method is based on the deposition of a multilayer system formed by introducing a number of thin buried silicon oxide layers into the thick polycrystalline silicon layer deposited on the wafer backside. Oxide films af a few nanometer thickness significantly retard both the grain growth and subsequent loss of the gettering capability of the polycrystalline silicon layer during high temperature annealing. The mechanisms of the grain growth and the influence of the embedded oxide layers on the gettering function in the multilayer system are discussed. We used SEM and TEM for characterization of the multilayer system, and intentional contamination fordemonstration of gettering properties.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Solid State Phenomena

  • ISSN

    1012-0394

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    178 - 179

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2011

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    385-391

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus