Polycrystalline silicon layers with enhanced thermal stability
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F11%3A%230000028" target="_blank" >RIV/26821532:_____/11:#0000028 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.scientific.net/SSP.178-179.385" target="_blank" >http://www.scientific.net/SSP.178-179.385</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.178-179.385" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/SSP.178-179.385</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Polycrystalline silicon layers with enhanced thermal stability
Popis výsledku v původním jazyce
We report on a new method of external gettering in Si substrate for semiconductor application. The proposed method is based on the deposition of a multilayer system formed by introducing a number of thin buried silicon oxide layers into the thick polycrystalline silicon layer deposited on the wafer backside. Oxide films af a few nanometer thickness significantly retard both the grain growth and subsequent loss of the gettering capability of the polycrystalline silicon layer during high temperature annealing. The mechanisms of the grain growth and the influence of the embedded oxide layers on the gettering function in the multilayer system are discussed. We used SEM and TEM for characterization of the multilayer system, and intentional contamination fordemonstration of gettering properties.
Název v anglickém jazyce
Polycrystalline silicon layers with enhanced thermal stability
Popis výsledku anglicky
We report on a new method of external gettering in Si substrate for semiconductor application. The proposed method is based on the deposition of a multilayer system formed by introducing a number of thin buried silicon oxide layers into the thick polycrystalline silicon layer deposited on the wafer backside. Oxide films af a few nanometer thickness significantly retard both the grain growth and subsequent loss of the gettering capability of the polycrystalline silicon layer during high temperature annealing. The mechanisms of the grain growth and the influence of the embedded oxide layers on the gettering function in the multilayer system are discussed. We used SEM and TEM for characterization of the multilayer system, and intentional contamination fordemonstration of gettering properties.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Solid State Phenomena
ISSN
1012-0394
e-ISSN
—
Svazek periodika
178 - 179
Číslo periodika v rámci svazku
2011
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
385-391
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—