Investigation of the transition phases from amorphous silicon-based multilayers to silicon nanostructures by in situ X-ray diffraction

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43923317" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43923317 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201330231" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201330231</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201330231" target="_blank" >10.1002/pssa.201330231</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of the transition phases from amorphous silicon-based multilayers to silicon nanostructures by in situ X-ray diffraction

Popis výsledku v původním jazyce

We report the investigation of the formation phases of silicon nanostructures obtained from thermal annealing of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)-based multilayers using in situ X-ray diffractometry, XRD. The multilayers composed of alternating layers of a-Si:H and silicon oxide were deposited on [100]-oriented crystalline silicon substrates using a plasma-enhanced chemical vapor deposition. Our results indicate that crystallization only starts after hydrogen effusion at a 500 °C annealing temperature, independent of the a-Si:H sublayer thickness.

Název v anglickém jazyce

Investigation of the transition phases from amorphous silicon-based multilayers to silicon nanostructures by in situ X-ray diffraction

Popis výsledku anglicky

We report the investigation of the formation phases of silicon nanostructures obtained from thermal annealing of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)-based multilayers using in situ X-ray diffractometry, XRD. The multilayers composed of alternating layers of a-Si:H and silicon oxide were deposited on [100]-oriented crystalline silicon substrates using a plasma-enhanced chemical vapor deposition. Our results indicate that crystallization only starts after hydrogen effusion at a 500 °C annealing temperature, independent of the a-Si:H sublayer thickness.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi A

ISSN

1862-6300

e-ISSN

—

Svazek periodika

211

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

1512-1518

Kód UT WoS článku

000339484000006

EID výsledku v databázi Scopus

—