Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43917415" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43917415 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace
Popis výsledku v původním jazyce
V tomto článku bylo použito termické žíhání pro výrobu křemíkových nanostruktur s kontrolovanou velikostí z amorfních multivrstev a-Si:H/SiO2. Série multivrstev byly deponovány PECVD za použití SiH4 a N2O plynných prekurzorů. Vrstvy tvořené stejnými tloušťkami (20, 15, 10 a 5 nm) subvrstev a-Si:H a SiO2 byly připravené na substráty Corning glass a Si(100).
Název v anglickém jazyce
Deposition of thin multilayer a-Si:H/SiO2 by using PECVD for photovoltaic applications
Popis výsledku anglicky
In this paper, we used thermal annealing for fabrication size controlled silicon nanostructures from amorphous a-Si:H/SiO2 multilayers. A series of multilayers were deposited by PECVD using SiH4 and N2O as precursor gases. Films composed of alternating uniformly thick (20, 15, 10 and 5 nm) sublayers of a-Si:H and SiO2 were prepared on Corning glass and Si(100) substrate.

Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)