Structural Analysis of Silicon Nanostructures Obtained from Thermal Annealing of a-Si:H/SiO2 Superlattices
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43923247" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43923247 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.605.295" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.605.295</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.605.295" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/KEM.605.295</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Structural Analysis of Silicon Nanostructures Obtained from Thermal Annealing of a-Si:H/SiO2 Superlattices
Popis výsledku v původním jazyce
This paper reports the synthesis and characterization of silicon quantum dots (QDs) obtained by thermal annealing of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)/silicon oxide(SiO2) supperlattices deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD). The asdeposited supperlattices have been annealed in high-temperature vacuum chamber, at temperatures up to 1100 °C, where in-situ phase transformation was monitored by x-ray diffractometry, XRD. It is shown that onset of crystallization and phase separation occur at different annealing temperature depending on the a-Si:H sub-layer thickness. Complete crystallization of the films and precipitation of the QDs occur at 1000 oC.
Název v anglickém jazyce
Structural Analysis of Silicon Nanostructures Obtained from Thermal Annealing of a-Si:H/SiO2 Superlattices
Popis výsledku anglicky
This paper reports the synthesis and characterization of silicon quantum dots (QDs) obtained by thermal annealing of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)/silicon oxide(SiO2) supperlattices deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD). The asdeposited supperlattices have been annealed in high-temperature vacuum chamber, at temperatures up to 1100 °C, where in-situ phase transformation was monitored by x-ray diffractometry, XRD. It is shown that onset of crystallization and phase separation occur at different annealing temperature depending on the a-Si:H sub-layer thickness. Complete crystallization of the films and precipitation of the QDs occur at 1000 oC.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Key Engineering Materials
ISBN
978-3-03835-051-4
ISSN
1013-9826
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
295-298
Název nakladatele
Trans Tech Publications LTD
Místo vydání
Stafa-Zurich
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
13. 9. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—