Study of the effect of boron doping on the solid phase crystallization of hydrogenated amorphous silicon films.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43923336" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43923336 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.07.040" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.07.040</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2014.07.040" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2014.07.040</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of the effect of boron doping on the solid phase crystallization of hydrogenated amorphous silicon films.

Popis výsledku v původním jazyce

Thin-?lm polycrystalline silicon on glass obtained by crystallization of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) ?lms is an interesting alternative for thin-?lm silicon solar cells. Although the solar-cell ef?ciencies are still limited, this technique offers excellent opportunity to study the in?uence of B-doping on the crystallization process of a-Si:H. Our approach is to slowly crystallize B-doped a-Si:H ?lms by solid phase crystallization in the temperature range 580-600°C.

Název v anglickém jazyce

Study of the effect of boron doping on the solid phase crystallization of hydrogenated amorphous silicon films.

Popis výsledku anglicky

Thin-?lm polycrystalline silicon on glass obtained by crystallization of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) ?lms is an interesting alternative for thin-?lm silicon solar cells. Although the solar-cell ef?ciencies are still limited, this technique offers excellent opportunity to study the in?uence of B-doping on the crystallization process of a-Si:H. Our approach is to slowly crystallize B-doped a-Si:H ?lms by solid phase crystallization in the temperature range 580-600°C.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

568

Číslo periodika v rámci svazku

01.10.2014

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

38-43

Kód UT WoS článku

000342051000007

EID výsledku v databázi Scopus

—