Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Process of Advanced Epitaxial Growth (AEPI) on 150 and 200 mm Silicon substrates.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F13%3A%230000061" target="_blank" >RIV/26821532:_____/13:#0000061 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Process of Advanced Epitaxial Growth (AEPI) on 150 and 200 mm Silicon substrates.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Proces pokročilého epitaxního růstu (AEPI) na 150 a 200 mm křemíkových substrátech umožňující dosažení minimální variability tloušťky a elektrického měrného odporu epitaxní vrstvy a minimálního počtu světlo rozptylujících defektů na povrchu desky.

  • Název v anglickém jazyce

    Proces AEPI - pokročilý epitaxní růst na křemíkovém substrátu průměru 150 a 200 mm.

  • Popis výsledku anglicky

    The process of Advanced Epitaxial Growth (AEPI) on 150 and 200 mm Silicon substrates for achievement of minimal epitaxial layer thickness and resistivity variability as well as minimal count of surface Localized Light Scatterers (LLS).

Klasifikace

  • Druh

    Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie

  • CEP obor

    JJ - Ostatní materiály

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/FR-TI3%2F031" target="_blank" >FR-TI3/031: Výzkum a vývoj technologií výroby nových typů křemíkových desek</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    AEPI

  • Číselná identifikace

  • Technické parametry

    150&200 mm AEPI, LLS 100% of wafer - max. 30 >0.30 um, LLS 90% of wafer - max. 20 >0.30 um, TTV AEPI max. 2%, RRV AEPI max. 4%.

  • Ekonomické parametry

    Cena <100USD/AEPI deska

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    26821532

  • Název vlastníka

    ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem