Scintillation detector for detection of ionising radiation

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00521523" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00521523 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearch-bool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=10067246.PN.&OS=PN/10067246&RS=PN/10067246" target="_blank" >http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearch-bool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PTXT&s1=10067246.PN.&OS=PN/10067246&RS=PN/10067246</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Scintillation detector for detection of ionising radiation

Popis výsledku v původním jazyce

The scintillation detector for the detection of ionising radiation, especially electron, X-ray or particle radiation, including a monocrystalline substrate, minimally one buffer layer, minimally one nitride semiconductor layer applied onto the substrate with epitaxy which is described by the AlyInxGa1-x-yN general formula where 0≤x<1, 0≤y< 1 and 0≤x+y≤1 is valid, where minimally two nitride semiconductor layers are arranged in a layered heterostructure, whose structure contains minimally one potential well for radiant recombinations of electrons and holes.nnPatent je návazný na prioritní český patent 306026, udělený 18.05.2016 Úřadem průmyslového vlastnictví ČR (CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague), záznam v RIV RIV/68378271:_____/16:00470001 (specifikace RIV/68378271:_____/16:00470001!RIV17-AV0-68378271, kontrolní číslo 191865810).

Název v anglickém jazyce

Scintillation detector for detection of ionising radiation

Popis výsledku anglicky

The scintillation detector for the detection of ionising radiation, especially electron, X-ray or particle radiation, including a monocrystalline substrate, minimally one buffer layer, minimally one nitride semiconductor layer applied onto the substrate with epitaxy which is described by the AlyInxGa1-x-yN general formula where 0≤x<1, 0≤y< 1 and 0≤x+y≤1 is valid, where minimally two nitride semiconductor layers are arranged in a layered heterostructure, whose structure contains minimally one potential well for radiant recombinations of electrons and holes.nnPatent je návazný na prioritní český patent 306026, udělený 18.05.2016 Úřadem průmyslového vlastnictví ČR (CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague), záznam v RIV RIV/68378271:_____/16:00470001 (specifikace RIV/68378271:_____/16:00470001!RIV17-AV0-68378271, kontrolní číslo 191865810).

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TH02010580" target="_blank" >TH02010580: Rychlá zobrazovací stínítka pro ionizující, UV, EUV záření</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

US10067246

Vydavatel

US001 -

Název vydavatele

United States Patent and Trademark Office (USPTO)

Místo vydání

Alexandria

Stát vydání

US - Spojené státy americké

Datum přijetí

4. 9. 2018

Název vlastníka

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. - CRYTUR SPOL. S R.O.

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence