Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25296558%3A_____%2F19%3AN0000021" target="_blank" >RIV/25296558:_____/19:N0000021 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/19:00520194

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.cz/webapp/!resdb.pta.frm" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/webapp/!resdb.pta.frm</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření

Popis výsledku v původním jazyce

Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření zahrnující alespoň dvě nitridové polovodičové vrstvy uspořádané do vrstvené heterostruktury, jejíž struktura obsahuje alespoň jednu vrstvu potenciálové jámy pro zářivé rekombinace elektronů a děr, a dále zahrnující aktivní oblast heterostruktury sestávající z alespoň jedné aktivní dvojice nitridových polovodičových vrstev složené z bariérové vrstvy a z vrstvy potenciálové jámy, přičemž je nad nejvýše se nacházející aktivní dvojicí vrstev uspořádána alespoň jedna vrchní nitridová polovodičová vrstva. Dále je na alespoň jedné straně aktivní oblasti a/nebo uvnitř aktivní oblasti vložena alespoň jedna vrstva s gradovaným složením, která sousedí s krajní vrstvou potenciálové jámy, pro snížení potenciálové bariéry a usnadnění migrace elektronů a děr do aktivní oblasti heterostruktury.

Název v anglickém jazyce

Scintillation detector for the detection of ionizing radiation

Popis výsledku anglicky

Scintillation detector for the detection of ionizing radiation comprising at least two nitride semiconductor layers arranged in a layered heterostructure, the structure of which contains at least one potential pit layer for radiant electron and hole recombinations, and further comprising a heterostructure consisting of at least one active pair of nitride semiconductor layers consisting of a barrier layer and a potential pit layer, wherein at least one upper nitride semiconductor layer is arranged above the uppermost active pair of layers. Further, at least one layer with a graded composition that is adjacent to the outermost layer of the potential pit is inserted on at least one side of the active region and / or into the active region to reduce the potential barrier and facilitate migration of electrons and holes into the active region of the heterostructure.

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

20500 - Materials engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TH02010580" target="_blank" >TH02010580: Rychlá zobrazovací stínítka pro ionizující, UV, EUV záření</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Číslo patentu nebo vzoru

307721

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

6. 2. 2019

Název vlastníka

CRYTUR, spol. s r.o.; Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i.

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence