Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00520194" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00520194 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307721.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307721.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření

Popis výsledku v původním jazyce

Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření zahrnující alespoň dvě nitridové polovodičové vrstvy uspořádané do vrstvené heterostruktury, jejíž struktura obsahuje alespoň jednu vrstvu potenciálové jámy pro zářivé rekombinace elektronů a děr, a dále zahrnující aktivní oblast heterostruktury sestávající z alespoň jedné aktivní dvojice nitridových polovodičových vrstev složené z bariérové vrstvy a z vrstvy potenciálové jámy, přičemž je nad nejvýše se nacházející aktivní dvojicí vrstev uspořádána alespoň jedna vrchní nitridová polovodičová vrstva. Dále je na alespoň jedné straně aktivní oblasti a/nebo uvnitř aktivní oblasti je vložena alespoň jedna vrstva s gradovaným složením, která sousedí s krajní vrstvou potenciálové jámy, pro snížení potenciálové bariéry a usnadnění migrace elektronů a děr do aktivní oblasti heterostruktury.

Název v anglickém jazyce

Scintillation detector for the detection of ionizing radiation

Popis výsledku anglicky

Scintillation detector for detection of ionisation radiation including at least two nitride semiconductor layers arranged in a layered heterostructure that contains at least one layer of a potential well for electron and hole radiative recombination and further including an active layer heterostructure containing at least one active pair of nitride semiconductor layers consisting of a barrier layer and a quantum well layer, where there is at least one top nitride semiconductor layer above the highest localized active pair of layers. Furthermore, there is at least one layer with graded composition inserted at least at one side of the active region and/or inside the active region neighbouring with an outer layer of a potential well for decrease of the potential barrier and ease of the electron and hole migration to the active region of the heterostructure.

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/TH02010580" target="_blank" >TH02010580: Rychlá zobrazovací stínítka pro ionizující, UV, EUV záření</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

307721

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

6. 2. 2019

Název vlastníka

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence