Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00470001" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00470001 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/25296558:_____/16:N0000027
Výsledek na webu
<a href="https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10097482&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10097482&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření
Popis výsledku v původním jazyce
Scintilační detektor pro detekci ionizujícího záření, zejména elektronového, rtg nebo částicového, zahrnující monokrystalický substrát alespoň jednu podkladovou vrstvu, alespoň jednu nitridovou polovodičovou vrstvu nanesenou na substrát pomocí epitaxe, která je popsána obecným vzorcem AlyInxGa1-x-yN, kde platí 0<x<1 a 0<y<1, přičemž jsou alespoň dvě nitridové polovodičové vrstvy uspořádány do vrstvené heterostruktury, jejíž struktura obsahuje alespoň jednu potenciálovou jámu pro zářivé rekombinace elektronů a děr.
Název v anglickém jazyce
Scintillation detector for detecting ionizing radiation
Popis výsledku anglicky
The scintillation detector for the detection of ionising radiation, especially electron, X-ray or particle radiation, including a monocrystalline substrate, minimally one buffer layer, minimally one nitride semiconductor layer applied onto the substrate with epitaxy which is described by the AlyInxGa1-x-yN general formula where 0x<1, 0y< 1 and 0x+y1 is valid, where minimally two nitride semiconductor layers are arranged in a layered heterostructure, whose structure contains minimally one potential well for radiant recombinations of electrons and holes.

Projekt
<a href="/cs/project/TA04011329" target="_blank" >TA04011329: Pokročilé techniky rentgenové radiografie pro přírodní vědy a průmysl</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru
306026
Vydavatel
CZ001 -
Název vydavatele
Industrial Property Office
Místo vydání
Prague
Stát vydání
CZ - Česká republika
Datum přijetí
18. 5. 2016
Název vlastníka
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i - CRYTUR, spol.s r.o.
Způsob využití
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Podobné výsledky(10)