Trench Ultra Fast pro napětí do 600 V

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000001" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000001 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Trench Ultra Fast pro napětí do 600 V
Popis výsledku v původním jazyce
Trench Ultra Fast (TUF) pro napětí do 600 V je velmi rychlá dioda, která dosahuje mezí křemíkové technologie a svými parametry se blíží (nákladnějším) řešením na bázi SiC. Deska s čipy průměru 150 mm, standardní tloušťka substrátu 625 um, krystalografická orientace substrátu <100>, závěrné napětí až 600 V pro proudy do 50 A.
Název v anglickém jazyce
Trench Ultra Fast Rectifier for 600 V
Popis výsledku anglicky
Trench Ultra Fast (TUF) Rectifier for 600V is the fast diode with parameters on the limits of Si technology and close to parameters of SiC based solution (with higher costs). Silicon wafer with devices (FE), diameter 150 mm, std thickness of Si substrate: 625 um, crystal orientation <100>, voltage up to 600V, current 50A.

Projekt
<a href="/cs/project/TH03010006" target="_blank" >TH03010006: Výzkum a vývoj vysokonapěťových Si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
TH03010006-V1
Číselná identifikace
—
Technické parametry
Trench Ultra Fast (TUF) pro napětí do 600 V je velmi rychlá dioda, která dosahuje mezí křemíkové technologie a svými parametry se blíží (nákladnějším) řešením na bázi SiC. Deska s čipy průměru 150 mm, standardní tloušťka substrátu 625 um, krystalografická orientace substrátu <100>, závěrné napětí až 600 V pro proudy do 50 A. Funkční vzorek je fyzicky archivován u příjemce, společně s charakterizačními daty.
Ekonomické parametry
Referenční cena FE desky s čipy: 100$.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)