Polymer surface modification enhanced by RF and Microwave organosilicon/O2 plasmas
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F44555601%3A13430%2F03%3A00002336" target="_blank" >RIV/44555601:13430/03:00002336 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Polymer surface modification enhanced by RF and Microwave organosilicon/O2 plasmas
Popis výsledku v původním jazyce
Organosilicon polymers obtained from plasma processes can be used to obtain either barrier properties or to modify their surface energy. The surface sensitivity of such deposits to ageing and plasma or afterglows exposure is of basic interest to understand both the long time scale behaviour of the material and the role of oxidant plasmas on the growth of film then on the resulting surface. Like in polymers such as Polypropylene (PP), Polycarbonate (PC) and Polyimide (PI) and also silicon substrates havebeen covered with deposits resulting from polymerisation involving HMDSO/O2 mixtures in RF diode, RF helicon, microwave DECR or Microwave Induced Remote Afterglow (MIRA) reactors. Composition and morphology of the different films have been analyzed either by RBS, ERDA, XPS, SEM and AFM.
Název v anglickém jazyce
Polymer surface modification enhanced by RF and Microwave organosilicon/O2 plasmas
Popis výsledku anglicky
Organosilicon polymers obtained from plasma processes can be used to obtain either barrier properties or to modify their surface energy. The surface sensitivity of such deposits to ageing and plasma or afterglows exposure is of basic interest to understand both the long time scale behaviour of the material and the role of oxidant plasmas on the growth of film then on the resulting surface. Like in polymers such as Polypropylene (PP), Polycarbonate (PC) and Polyimide (PI) and also silicon substrates havebeen covered with deposits resulting from polymerisation involving HMDSO/O2 mixtures in RF diode, RF helicon, microwave DECR or Microwave Induced Remote Afterglow (MIRA) reactors. Composition and morphology of the different films have been analyzed either by RBS, ERDA, XPS, SEM and AFM.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/OC%20527.50" target="_blank" >OC 527.50: Studium tenkých polymerních vrstev pomocí AFM a rozvoj metod diagnostiky plazmatu.</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of 16th International Symposium on Plasma Chemistry
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
1
Strana od-do
382
Název nakladatele
University of Bari
Místo vydání
Bari
Místo konání akce
Taormina - Italy
Datum konání akce
22. 6. 2003
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—