Přímé bondování mědi na keramický substrát

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F12%3A43916123" target="_blank" >RIV/49777513:23220/12:43916123 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Přímé bondování mědi na keramický substrát

Popis výsledku v původním jazyce

Tato práce se zabývá technologií přímého bondování mědi na keramický substrát. Hlavní výhoda této metody je schopnost spojit téměř jakoukoliv tloušťku měděné fólie přímo na keramiku. Výsledný substrát se dá poté vhodně použít například pro výkonové aplikace, kde je potřeba dosáhnout vysoké elektrické i tepelné vodivosti substrátu. Je možné přenášet proudy v řádech desítek ampér.

Název v anglickém jazyce

Direct bonded copper to ceramic substrate

Popis výsledku anglicky

This paper deals with the technique of bonding copper directly to ceramic. The main advantage of this method is the ability to bond almost any thickness of copper directly to a ceramic. This direct bonded substrate is useful for example for power electronics substrates because of high thermal and electrical conductivity. It can also conduct currents in order of tens of amperes.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů