Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Analýza maximální možné proudové zatížitelnosti MOSFETového tranzistoru v pouzdře TO-247

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F17%3A43932926" target="_blank" >RIV/49777513:23220/17:43932926 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Analýza maximální možné proudové zatížitelnosti MOSFETového tranzistoru v pouzdře TO-247

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Tato výzkumná zpráva se zabývá ověřením proudového dimenzování MOSFETových tranzistorů v diskrétním pouzdře TO-247AC. Pro určený maximálního možného výstupního proudu z pouzdra tranzistoru, pro tuto aplikaci byla navržena DC analýza. V rámci této analýzy byly experimentálně ověřeny vlastnosti diskrétního pouzdra TO-247AC maximální možný proud protékaný pouzdrem MOSFETového tranzistoru s ohledem na maximální teplotu čipu. Tato teplota byla měřena thermokamerou dále dopočítávána z úbytku napětí na zpětné diodě a na samotném PN přechodu tranzistoru.

  • Název v anglickém jazyce

    Analysis of the maximal current rating MOSFET transistor in the package TO-247

  • Popis výsledku anglicky

    This research report deals with verification of the current dimensioning of MOSFET transistors in the TO-247AC discrete case. To determine the maximum possible output current of transistor housing, for this application was designed DC analysis. In this analysis were verified experimentally discrete features a TO-247AC maximum possible current-rating. Were we tested to the maximum possible current flowing through the package of MOSFET transistor with respect to the maximum chip temperature. This temperature was measured by the thermal camera and we also verified by calculating the chip temperature of the transistor from the voltage drop on the body diode and on the PN transistor itself.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů