Radiation hardness evaluation of the commercial 150 nm CMOS process using 60Co source

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00225863" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00225863 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/06/C06005" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/06/C06005</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/06/C06005" target="_blank" >10.1088/1748-0221/9/06/C06005</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Radiation hardness evaluation of the commercial 150 nm CMOS process using 60Co source

Popis výsledku v původním jazyce

We present a study of radiation effects on MOSFET transistors irradiated with a 60Co source to a total absorbed dose of 1.5 Mrad. The transistor test structures were manufactured using a commercial 150 nm CMOS process and are composed of transistors of different types (NMOS and PMOS), dimensions and insulation from the bulk material by means of deep n-wells. We have observed a degradation of electrical characteristics of both PMOS and NMOS transistors, namely a large increase of the leakage current of the NMOS transistors after irradiation.

Název v anglickém jazyce

Radiation hardness evaluation of the commercial 150 nm CMOS process using 60Co source

Popis výsledku anglicky

We present a study of radiation effects on MOSFET transistors irradiated with a 60Co source to a total absorbed dose of 1.5 Mrad. The transistor test structures were manufactured using a commercial 150 nm CMOS process and are composed of transistors of different types (NMOS and PMOS), dimensions and insulation from the bulk material by means of deep n-wells. We have observed a degradation of electrical characteristics of both PMOS and NMOS transistors, namely a large increase of the leakage current of the NMOS transistors after irradiation.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TE01020069" target="_blank" >TE01020069: Progresívní detekční systémy ionizujícího záření</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Journal of Instrumentation

ISBN

—

ISSN

1748-0221

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

1-8

Název nakladatele

IOP Publishing Ltd

Místo vydání

Bristol

Místo konání akce

Paris

Datum konání akce

23. 7. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000340036400005