Performance of silicon photomultipliers at low temperature
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F20%3A43958947" target="_blank" >RIV/49777513:23220/20:43958947 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21670/20:00346706
Výsledek na webu
<a href="https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1748-0221/15/03/C03003" target="_blank" >https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1748-0221/15/03/C03003</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/15/03/C03003" target="_blank" >10.1088/1748-0221/15/03/C03003</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Performance of silicon photomultipliers at low temperature
Popis výsledku v původním jazyce
The performances of silicon photomultipliers with different structures are investigated at low temperature.The first sample is a micro pixel avalanche photodiode with deep buried pixel structure from Zecotek Photonics Inc. The second and third ones are multi-pixel photo counters with a surface pixel design from Hamamatsu Photonics. The influence of temperature on the main parameters of the photodiodes such as photon detection efficiency (PDE), gain, and capacitance was studied in the temperature range from 0C to -120C.
Název v anglickém jazyce
Performance of silicon photomultipliers at low temperature
Popis výsledku anglicky
The performances of silicon photomultipliers with different structures are investigated at low temperature.The first sample is a micro pixel avalanche photodiode with deep buried pixel structure from Zecotek Photonics Inc. The second and third ones are multi-pixel photo counters with a surface pixel design from Hamamatsu Photonics. The influence of temperature on the main parameters of the photodiodes such as photon detection efficiency (PDE), gain, and capacitance was studied in the temperature range from 0C to -120C.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LTT18021" target="_blank" >LTT18021: Spolupráce ČR s SÚJV Dubna v teoretické a jaderné fyzice a při využití jaderných metod v dalších oborech</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Instrumentation
ISSN
1748-0221
e-ISSN
—
Svazek periodika
15
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
0-6
Kód UT WoS článku
000528039600003
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85084180824