Výkonový modul pro polovodičový jistič

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F24%3A43974576" target="_blank" >RIV/49777513:23220/24:43974576 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.gov.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/310/310213.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.gov.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/310/310213.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Výkonový modul pro polovodičový jistič

Popis výsledku v původním jazyce

Výkonový modul pro polovodičový jistič obsahuje chladič (1) z dielektrického materiálu s tepelnou vodivostí vyšší než 20 W/m/K, který je na povrchu opatřen elektricky vodivým motivem (3). Na elektricky vodivém motivu (3) je uložen a připojen elektricky vodivým spojem (2) obousměrný polovodičový spínač (5). Elektricky vodivý motiv (3) je propojen s pomocnými dielektrickými substráty (9), na nichž jsou umístěny elektricky vodivé motivy (18) pro nevýkonové obvody (7). Chladič (1), polovodičový spínač (5), pomocné dielektrické substráty (9) a nevýkonové obvody (7) jsou společně obsaženy v monolitické vícevrstvé struktuře, jejíž prvky jsou spojeny celými svými styčnými plochami. Chladič (1) může být mechanicky a teplovodivě spojen s pomocným chladičem (14) z elektricky vodivého materiálu s tepelnou vodivostí vyšší než 180 W/m/K. Spojení je provedeno kontaktní vrstvou (20) pro kompenzaci rozdílné tepelné roztažnosti chladiče (1) a pomocného chladiče (14).

Název v anglickém jazyce

A power module for a semiconductor circuit breaker

Popis výsledku anglicky

The power module for a semiconductor circuit breaker contains a cooler (1) from dielectric material with thermal conductivity higher than 20 W/m/K which is provided with an electrically conductive pattern (3) on the surface. On the electrically conductive pattern (3) there is a bi-directional semiconductor switch (5) connected with an electrically conductive connection (2). The electrically conductive pattern (3) is interconnected with auxiliary dielectric substrates (9), on which there are electrically conductive patterns (18) for non-power circuits (7). The cooler (1), the semiconductor switch (5), auxiliary dielectric substrates (9) and non-power circuits (7) are located together in a monolithic multi-layered structure, the elements of which are connected with their entire contact surfaces. The cooler (1) can be connected in a mechanical and thermal way with an auxiliary cooler (14) from electrically conductive material with thermal conductivity higher than 180/m/K. The connection is provided by way of a contact layer (20) to compensate different thermal expansion of the cooler (1) and the auxiliary cooler (14).

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TN02000054" target="_blank" >TN02000054: Národní centrum kompetence inženýrství pozemních vozidel Josefa Božka</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Číslo patentu nebo vzoru

310213

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

7. 8. 2024

Název vlastníka

Západočeská univerzita v Plzni

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence