Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vývoj teploty tenké vrstvy během magnetronového naprašování

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F06%3A00000130" target="_blank" >RIV/49777513:23520/06:00000130 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Evolution of film temperature during magnetron sputtering

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report on the results of measurement of the temperature TFsurf which developed on the surface of films deposited by magnetron sputtering of chromium and copper targets on cooling and non-cooling silicon substrates. The TFsurf and substrate temperature(TS) were simultaneously measured using high-resolution IR camera and thermocouple, respectively. We revealed that the TFsurf steeply grows, keeps constant when it achieves saturation level, and rapidly drops to the value of the TS after stopping the deposition. At the same time, the TS either does not change for the case of cooling substrate or increases to a certain level for non-cooling substrate. However, in both cases the TS remains several times lower than the TFsurf. The TFsurf is proportional to the flux of energy delivered to the growth surface by sputtered atoms and other fast particles, weakly depends on the depositing metal and can achieve several hundreds of °C.

  • Název v anglickém jazyce

    Evolution of film temperature during magnetron sputtering

  • Popis výsledku anglicky

    We report on the results of measurement of the temperature TFsurf which developed on the surface of films deposited by magnetron sputtering of chromium and copper targets on cooling and non-cooling silicon substrates. The TFsurf and substrate temperature(TS) were simultaneously measured using high-resolution IR camera and thermocouple, respectively. We revealed that the TFsurf steeply grows, keeps constant when it achieves saturation level, and rapidly drops to the value of the TS after stopping the deposition. At the same time, the TS either does not change for the case of cooling substrate or increases to a certain level for non-cooling substrate. However, in both cases the TS remains several times lower than the TFsurf. The TFsurf is proportional to the flux of energy delivered to the growth surface by sputtered atoms and other fast particles, weakly depends on the depositing metal and can achieve several hundreds of °C.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Vacuum Science and Technology A

  • ISSN

    0734-2101

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

  • Číslo periodika v rámci svazku

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    1083

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus