Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F18%3A43951667" target="_blank" >RIV/49777513:23520/18:43951667 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1116/1.5038555" target="_blank" >https://doi.org/10.1116/1.5038555</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1116/1.5038555" target="_blank" >10.1116/1.5038555</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This letter reports on the formation of hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering. TiN2 films were reactively sputtered in an Ar + N2 gas mixture using a pulsed dual magnetron with a closed magnetic field B. The principle of the formation of TiN2 films by magnetron sputtering is briefly described. The stoichiometry x = N/Ti of the TiNx films was controlled by deposition parameters, and its maximum value of x = 2.3 was achieved. For the first time, a possibility to form the TiN2 dinitride films by magnetron sputtering has been demonstrated. The mechanical properties of sputtered films were investigated in detail.

  • Název v anglickém jazyce

    Hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering

  • Popis výsledku anglicky

    This letter reports on the formation of hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering. TiN2 films were reactively sputtered in an Ar + N2 gas mixture using a pulsed dual magnetron with a closed magnetic field B. The principle of the formation of TiN2 films by magnetron sputtering is briefly described. The stoichiometry x = N/Ti of the TiNx films was controlled by deposition parameters, and its maximum value of x = 2.3 was achieved. For the first time, a possibility to form the TiN2 dinitride films by magnetron sputtering has been demonstrated. The mechanical properties of sputtered films were investigated in detail.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LO1506" target="_blank" >LO1506: Podpora udržitelnosti centra NTIS - Nové technologie pro informační společnost</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Vacuum Science and Technology A

  • ISSN

    0734-2101

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    36

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

    „040602-1“-„040602-3“

  • Kód UT WoS článku

    000438217600009

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85049236961