Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Simulating the transport of atoms during HiPIMS deposition of NbC from a compound target

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F24%3A43972643" target="_blank" >RIV/49777513:23520/24:43972643 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Simulating the transport of atoms during HiPIMS deposition of NbC from a compound target

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This presentation focuses on explaining the observed change in the composition of NbC films deposited by HiPIMS from a single compound target for varying pulse-average target power density. We employ computer simulations based on an in-house DSMC code which enables to simulate the transport of atoms and ions and their mutual collisions in the discharge. The simulation is fully three-dimensional and is constrained by target voltage and current waveforms which ensures good compliance with experimental discharge conditions. We calculate the degree of ionization of Nb and C above the target, the rates of C and Nb collisions in the discharge plasma and estimate the flux and energy of backscattered Ar atoms onto the substrate. We correlate these simulation results with the experimentally observed trend in film composition.

  • Název v anglickém jazyce

    Simulating the transport of atoms during HiPIMS deposition of NbC from a compound target

  • Popis výsledku anglicky

    This presentation focuses on explaining the observed change in the composition of NbC films deposited by HiPIMS from a single compound target for varying pulse-average target power density. We employ computer simulations based on an in-house DSMC code which enables to simulate the transport of atoms and ions and their mutual collisions in the discharge. The simulation is fully three-dimensional and is constrained by target voltage and current waveforms which ensures good compliance with experimental discharge conditions. We calculate the degree of ionization of Nb and C above the target, the rates of C and Nb collisions in the discharge plasma and estimate the flux and energy of backscattered Ar atoms onto the substrate. We correlate these simulation results with the experimentally observed trend in film composition.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2024

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů