Experimental Studies on Doped and Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F09%3A00502623" target="_blank" >RIV/49777513:23640/09:00502623 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Experimental Studies on Doped and Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering

Popis výsledku v původním jazyce

Zinc oxide (ZnO) belongs to the wide energy band-gap II-VI binary semiconductors with many interesting physical properties. Non-stoichiometric ZnO is a native n-type semiconductor, and it is quite easy to increase its conductivity by its doping using appropriate element. Somewhat difficult is ZnO doping to p-type conductivity. The paper deals with the research of p-type conductivity of ZnO thin films doped by nitrogen and their physical properties. The films were prepared by RF diode sputter depositionfrom ceramic ZnO target with different argon/nitrogen working gas mixture.

Název v anglickém jazyce

Experimental Studies on Doped and Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering

Popis výsledku anglicky

Zinc oxide (ZnO) belongs to the wide energy band-gap II-VI binary semiconductors with many interesting physical properties. Non-stoichiometric ZnO is a native n-type semiconductor, and it is quite easy to increase its conductivity by its doping using appropriate element. Somewhat difficult is ZnO doping to p-type conductivity. The paper deals with the research of p-type conductivity of ZnO thin films doped by nitrogen and their physical properties. The films were prepared by RF diode sputter depositionfrom ceramic ZnO target with different argon/nitrogen working gas mixture.

Druh

C - Kapitola v odborné knize

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název knihy nebo sborníku

Micro Electronic and Mechanical Systems

ISBN

978-953-307-027-8

Počet stran výsledku

24

Strana od-do

—

Počet stran knihy

386

Název nakladatele

In-Teh

Místo vydání

Vukovar

Kód UT WoS kapitoly

—