Preparation of hybrid heterostructures based on doped diamond and zinc oxide films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00434843" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00434843 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

slovinština

Název v původním jazyce

Príprava hybridných heteroštruktúr na báze dopovaných diamantových a ZnO vrstiev

Popis výsledku v původním jazyce

Dopovaný diamant je unikátny materiál s nespočetným množstvom aplikácií najmä vďaka jeho fyzikálnym a chemickým vlastnostiam. Diamant typu P možno vyrobiť relatívne jednoducho pridaním plynu obsahujúceho bór (diborán, trimetylborán) do zmesi plynov používaných pri raste diamantovej vrstvy (CH4/H2) technológiou chemickej depozície z pár (CVD), diamant typu však N nie je možné pripraviť použitím ?klasických? donorov ako sú fosfor a arzén. Ďalším z rady širokopásmových polovodivých materiálov je oxid zinku(ZnO) so šírkou zakázaného pásma 3,37 eV, ktorá je až 3x väčšia ako v prípade GaN alebo ZnSe. ZnO s vodivosťou typu N možno pripraviť dopovaním napríklad prvkami Ga, Al, Sc alebo Mn. Výroba bipolárnej ZnO heteroštruktúry je na rozdiel od diamantu obmedzená problémami s dopovaním typu P. Perspektívnym riešením problému absencie jedného typu vodivosti v obidvoch polovodičoch pri príprave heteroštruktúry je použitie diamantu typu P a ZnO typu N.

Název v anglickém jazyce

Preparation of hybrid heterostructures based on doped diamond and zinc oxide films

Popis výsledku anglicky

Doped diamond is a unique material for a different applications because of its physical and chemical properties. P-type diamond can be produced relatively easily by adding a boron containing gas (diborane, trimetylboran) to a mixture of gases used for agrowth of diamond films (CH4/H2) by chemical vapor deposition (CVD). But N-type diamond can not be prepared by using "classical" donors such as phosphorus and arsenic. Another series broadband semiconductor material is zinc oxide (ZnO) having a band gapof 3.37 eV, which is 3 times greater than in the case of ZnSe or GaN. ZnO with N-type conductivity can be prepared, for example, doping elements Ga, Al, Sc and Mn. Production bipolar ZnO heterostructures is unlike diamond limited problems prospective P type doping solution to the problem of absence of one conductivity type in both the preparation of semiconductors, the use of diamond heterostructures P-type and N-type ZnO.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/7AMB14SK024" target="_blank" >7AMB14SK024: Hybridní heterostruktury na bázi diamantových a ZnO vrstev pro elektronické a fotovoltaické aplikace</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Material analysis in vacuum

ISBN

978-80-971179-4-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

16-19

Název nakladatele

Slovenská vákuová spoločnosť

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Štrbské Pleso

Datum konání akce

2. 10. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—