Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Activities towards p-type doping of ZnO

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10080650" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10080650 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://iopscience.iop.org/1742-6596/265/1/012002" target="_blank" >http://iopscience.iop.org/1742-6596/265/1/012002</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/265/1/012002" target="_blank" >10.1088/1742-6596/265/1/012002</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Activities towards p-type doping of ZnO

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Zinc oxide (ZnO) is an interesting and promising semiconductor material for many potential applications, e.g. in opto-electronics and for sensor devices. However, its p-type doping represents a challenging problem, and the physical reasons of its mostlyn-type conductivity are not perfectly clear at present. Efforts to achieve p-type conductivity by ion implantation are reviewed, and ways to achieve p-type ZnO nanorods and thin films through various growth conditions are summarized.

  • Název v anglickém jazyce

    Activities towards p-type doping of ZnO

  • Popis výsledku anglicky

    Zinc oxide (ZnO) is an interesting and promising semiconductor material for many potential applications, e.g. in opto-electronics and for sensor devices. However, its p-type doping represents a challenging problem, and the physical reasons of its mostlyn-type conductivity are not perfectly clear at present. Efforts to achieve p-type conductivity by ion implantation are reviewed, and ways to achieve p-type ZnO nanorods and thin films through various growth conditions are summarized.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/OC%20165" target="_blank" >OC 165: Simulace struktury a výpočty pozitronové odezvy pro složité defekty v materiálech</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Physics: Conference Series

  • ISSN

    1742-6588

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    265

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    14

  • Strana od-do

    012002, 1-14

  • Kód UT WoS článku

    000292036000002

  • EID výsledku v databázi Scopus