Electrical and Optical Properties of Rectifying ZnO Homojunctions Fabricated by Wet Chemistry Methods

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F18%3A00484810" target="_blank" >RIV/67985882:_____/18:00484810 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201700592" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201700592</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201700592" target="_blank" >10.1002/pssa.201700592</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electrical and Optical Properties of Rectifying ZnO Homojunctions Fabricated by Wet Chemistry Methods

Popis výsledku v původním jazyce

Rectifying ZnO homojunctions are fabricated by simple wet chemistry methods. The p-n junction is formed between a p-type nanostructured seed layer deposited by sol-gel method on phosphorus doped Si substrates and an array of n-type nanorods grown by chemical bath deposition. The p-type conductivity in the nanostructured layer is achieved by thermal diffusion of phosphorus from the Si substrate. The diffusion of phosphorus is supported by the observation of optical transitions related to neutral acceptor bound exciton in low-temperature photoluminescence spectra. The p-n junction shows a high value of rectification ratio. Charge transport through the p-n junction is discussed in terms of non-ideal interface

Název v anglickém jazyce

Electrical and Optical Properties of Rectifying ZnO Homojunctions Fabricated by Wet Chemistry Methods

Popis výsledku anglicky

Rectifying ZnO homojunctions are fabricated by simple wet chemistry methods. The p-n junction is formed between a p-type nanostructured seed layer deposited by sol-gel method on phosphorus doped Si substrates and an array of n-type nanorods grown by chemical bath deposition. The p-type conductivity in the nanostructured layer is achieved by thermal diffusion of phosphorus from the Si substrate. The diffusion of phosphorus is supported by the observation of optical transitions related to neutral acceptor bound exciton in low-temperature photoluminescence spectra. The p-n junction shows a high value of rectification ratio. Charge transport through the p-n junction is discussed in terms of non-ideal interface

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi. A

ISSN

1862-6300

e-ISSN

—

Svazek periodika

215

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000423223700009

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85037644947