THE SELECTIVE BORON DOPING FROM LIQUID SOURCE BBr3

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU97605" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU97605 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49610040:_____/11:#0000013

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

THE SELECTIVE BORON DOPING FROM LIQUID SOURCE BBr3

Popis výsledku v původním jazyce

The boron diffusion makes pn junction on n-type wafer or BSF (Back Surface Field) for p-type wafer, essential parts of any solar cell. This paper focuses on different options for boron diffusion processes from liquid source BBr3 for p-type diffusion on n-type wafers. There are three options to create selective structure of boron diffusion from liquid source BBr3: masking layers, pre-doping of source wafer or combination. The masking properties of various dielectric barriers were verified by four point probe sheet resistance mapping; also ECV technique was applied for evaluation of boron concentration profile. The first method is based on masking layer deposited on surface. This method is more complex, because the process has many steps (application ofa masking layer, laser structuring or etching paste printing, boron diffusion and finally removal of the masking layer). Two different masking layers (PECVD SiNX or thermal oxide) were tested for this process. Masking layers have differen

Název v anglickém jazyce

THE SELECTIVE BORON DOPING FROM LIQUID SOURCE BBr3

Popis výsledku anglicky

The boron diffusion makes pn junction on n-type wafer or BSF (Back Surface Field) for p-type wafer, essential parts of any solar cell. This paper focuses on different options for boron diffusion processes from liquid source BBr3 for p-type diffusion on n-type wafers. There are three options to create selective structure of boron diffusion from liquid source BBr3: masking layers, pre-doping of source wafer or combination. The masking properties of various dielectric barriers were verified by four point probe sheet resistance mapping; also ECV technique was applied for evaluation of boron concentration profile. The first method is based on masking layer deposited on surface. This method is more complex, because the process has many steps (application ofa masking layer, laser structuring or etching paste printing, boron diffusion and finally removal of the masking layer). Two different masking layers (PECVD SiNX or thermal oxide) were tested for this process. Masking layers have differen

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the International Conference held in Hamburg, Germany

ISBN

3-936338-27-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4800

Strana od-do

2031-2033

Název nakladatele

WIP

Místo vydání

Hamburg

Místo konání akce

Hamburg

Datum konání akce

5. 9. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—