Effect of Doping on the Optical and Structural Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F09%3A43921798" target="_blank" >RIV/49777513:23640/09:43921798 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/1.3238208" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1149/1.3238208</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/1.3238208" target="_blank" >10.1149/1.3238208</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of Doping on the Optical and Structural Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering
Popis výsledku v původním jazyce
Nitrogen-doped zinc oxide thin films (ZnO:N), and aluminum-nitrogen co-doped zinc oxide thin films (ZnO:Al:N), were deposited on Corning glass substrates by RF diode sputtering. The nitrogen (N2) content in the working gas varied from 0 to 100 %. XRD patterns revealed improving of the crystalline structure and stronger expressed c-axis preferential orientation of the aluminum-nitrogen co-doped films compared to nitrogen-doped films. The extimated crystallite size varied from 140 to 8 nm, depending on the N2 content. The transmittance spectra of ZnO:N and ZnO:Al:N flms were acquired over the wavelenght range of 200 { lambda { 1000 nm. All nitrogen-doped and Al-N2 co-doped films were colored as a result of the increase absorption near the band edge. Optical band gap (Eg) of the ZnO:N and ZnO:Al:N thin films decreases with increase of the N2 content in the working gas.
Název v anglickém jazyce
Effect of Doping on the Optical and Structural Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering
Popis výsledku anglicky
Nitrogen-doped zinc oxide thin films (ZnO:N), and aluminum-nitrogen co-doped zinc oxide thin films (ZnO:Al:N), were deposited on Corning glass substrates by RF diode sputtering. The nitrogen (N2) content in the working gas varied from 0 to 100 %. XRD patterns revealed improving of the crystalline structure and stronger expressed c-axis preferential orientation of the aluminum-nitrogen co-doped films compared to nitrogen-doped films. The extimated crystallite size varied from 140 to 8 nm, depending on the N2 content. The transmittance spectra of ZnO:N and ZnO:Al:N flms were acquired over the wavelenght range of 200 { lambda { 1000 nm. All nitrogen-doped and Al-N2 co-doped films were colored as a result of the increase absorption near the band edge. Optical band gap (Eg) of the ZnO:N and ZnO:Al:N thin films decreases with increase of the N2 content in the working gas.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ECS Transactions
ISBN
978-1-56677-749-0
ISSN
1938-5862
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
65-72
Název nakladatele
The electrochemical Society
Místo vydání
Pennington
Místo konání akce
Vídeň
Datum konání akce
4. 9. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—