Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43921791" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43921791 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/34/1/012008" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/34/1/012008</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/34/1/012008" target="_blank" >10.1088/1757-899X/34/1/012008</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films
Popis výsledku v původním jazyce
Acceptor doping of zinc oxide thin films prepared by radio-frequency diode sputtering, using nitrogen as a doping source, was realized during sputtering in Ar/N 2 gas mixture or via ion implantation of 180 keV N ions. Effects of N doping and (Al,Ga):N co-doping on the films' properties have been studied. Highly resistive ZnO:N films with p-type carrier concentrations ranging 10 14-10 15 cm -3 and more random orientation of the crystallites were obtained. The co-doped ZnO:Al:N and ZnO:Ga:N films maintained a c-axis texture in the direction of the surface normal. The carrier concentration of the p-type films was on the order of 10 17- 10 18 cm -3. 180 keV N ions were implanted in sputtered ZnO:Ga thin films. The implant doses varied 10 15-2x 10 16 cm -2.Annealing studies were performed under O 2 and N 2 ambient at different temperatures and times. N-implanted films were polycrystalline with a preferred c-axis orientation of the crystallites.
Název v anglickém jazyce
Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films
Popis výsledku anglicky
Acceptor doping of zinc oxide thin films prepared by radio-frequency diode sputtering, using nitrogen as a doping source, was realized during sputtering in Ar/N 2 gas mixture or via ion implantation of 180 keV N ions. Effects of N doping and (Al,Ga):N co-doping on the films' properties have been studied. Highly resistive ZnO:N films with p-type carrier concentrations ranging 10 14-10 15 cm -3 and more random orientation of the crystallites were obtained. The co-doped ZnO:Al:N and ZnO:Ga:N films maintained a c-axis texture in the direction of the surface normal. The carrier concentration of the p-type films was on the order of 10 17- 10 18 cm -3. 180 keV N ions were implanted in sputtered ZnO:Ga thin films. The implant doses varied 10 15-2x 10 16 cm -2.Annealing studies were performed under O 2 and N 2 ambient at different temperatures and times. N-implanted films were polycrystalline with a preferred c-axis orientation of the crystallites.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
ISBN
—
ISSN
1757-8981
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
1-8
Název nakladatele
IOP Publishing LTD
Místo vydání
Bristol
Místo konání akce
Varšava, Polsko
Datum konání akce
19. 9. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—