Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43921791" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43921791 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/34/1/012008" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/34/1/012008</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/34/1/012008" target="_blank" >10.1088/1757-899X/34/1/012008</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Acceptor doping of zinc oxide thin films prepared by radio-frequency diode sputtering, using nitrogen as a doping source, was realized during sputtering in Ar/N 2 gas mixture or via ion implantation of 180 keV N ions. Effects of N doping and (Al,Ga):N co-doping on the films' properties have been studied. Highly resistive ZnO:N films with p-type carrier concentrations ranging 10 14-10 15 cm -3 and more random orientation of the crystallites were obtained. The co-doped ZnO:Al:N and ZnO:Ga:N films maintained a c-axis texture in the direction of the surface normal. The carrier concentration of the p-type films was on the order of 10 17- 10 18 cm -3. 180 keV N ions were implanted in sputtered ZnO:Ga thin films. The implant doses varied 10 15-2x 10 16 cm -2.Annealing studies were performed under O 2 and N 2 ambient at different temperatures and times. N-implanted films were polycrystalline with a preferred c-axis orientation of the crystallites.

  • Název v anglickém jazyce

    Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films

  • Popis výsledku anglicky

    Acceptor doping of zinc oxide thin films prepared by radio-frequency diode sputtering, using nitrogen as a doping source, was realized during sputtering in Ar/N 2 gas mixture or via ion implantation of 180 keV N ions. Effects of N doping and (Al,Ga):N co-doping on the films' properties have been studied. Highly resistive ZnO:N films with p-type carrier concentrations ranging 10 14-10 15 cm -3 and more random orientation of the crystallites were obtained. The co-doped ZnO:Al:N and ZnO:Ga:N films maintained a c-axis texture in the direction of the surface normal. The carrier concentration of the p-type films was on the order of 10 17- 10 18 cm -3. 180 keV N ions were implanted in sputtered ZnO:Ga thin films. The implant doses varied 10 15-2x 10 16 cm -2.Annealing studies were performed under O 2 and N 2 ambient at different temperatures and times. N-implanted films were polycrystalline with a preferred c-axis orientation of the crystallites.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JJ - Ostatní materiály

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    IOP Conference Series: Materials Science and Engineering

  • ISBN

  • ISSN

    1757-8981

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    1-8

  • Název nakladatele

    IOP Publishing LTD

  • Místo vydání

    Bristol

  • Místo konání akce

    Varšava, Polsko

  • Datum konání akce

    19. 9. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku