Preparation of p-type ZnO thin films by RF diode sputtering

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F06%3A00503256" target="_blank" >RIV/49777513:23640/06:00503256 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation of p-type ZnO thin films by RF diode sputtering

Popis výsledku v původním jazyce

A p-type ZnO thin films were prepared by RF diode sputtering and nitrogen doping. Deposition in plasma N-2 gas source increases the N solubility and thus the incorporation of No acceptor that is responsible for p-type conductivity of the ZnO films. Ramananalyses performed in back scattering configuration proved the incorporation of the nitrogen acceptor No into ZnO:N. Raman spectra show E-2 mode and two nitrogen related local vibrational modes (LVMs) typical for N-doped ZnO. Minimum resistivity of 790Omega cm, a Hall mobility of 22 cm 2 V-1.s(-1) and the carrier concentration of 3.6 x 10(14) cm(-3) were obtained at 75 % N-2 in Ar/N-2 sputtering gas. X-ray diffraction measurements (XRD) showed that ZnO:N films had the preferential orientation of (002)plane at 25 % N-2 and of (100) plane for higher N-2 concentrations. The average grain size was ftom 7 to 42 nm for all Ar/N-2 ratios. ZnO:N films exhibit relatively high microstrains (10 x 10(-3)).

Název v anglickém jazyce

Preparation of p-type ZnO thin films by RF diode sputtering

Popis výsledku anglicky

A p-type ZnO thin films were prepared by RF diode sputtering and nitrogen doping. Deposition in plasma N-2 gas source increases the N solubility and thus the incorporation of No acceptor that is responsible for p-type conductivity of the ZnO films. Ramananalyses performed in back scattering configuration proved the incorporation of the nitrogen acceptor No into ZnO:N. Raman spectra show E-2 mode and two nitrogen related local vibrational modes (LVMs) typical for N-doped ZnO. Minimum resistivity of 790Omega cm, a Hall mobility of 22 cm 2 V-1.s(-1) and the carrier concentration of 3.6 x 10(14) cm(-3) were obtained at 75 % N-2 in Ar/N-2 sputtering gas. X-ray diffraction measurements (XRD) showed that ZnO:N films had the preferential orientation of (002)plane at 25 % N-2 and of (100) plane for higher N-2 concentrations. The average grain size was ftom 7 to 42 nm for all Ar/N-2 ratios. ZnO:N films exhibit relatively high microstrains (10 x 10(-3)).

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ASDAM '06

ISBN

1-4244-0396-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Smolenice Castle, Slovakia

Datum konání akce

1. 1. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000244683000008