P-Type conduction in Sputtered ZnO Thin films Doped by Nitrogen

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F06%3A00503262" target="_blank" >RIV/49777513:23640/06:00503262 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

P-Type conduction in Sputtered ZnO Thin films Doped by Nitrogen

Popis výsledku v původním jazyce

Nitrogen doped zinc oxide (ZnO:N) thin films were prepared by RF diode sputtering from ZnO target in different ratio of Ar/N2 gas mixture. The p-type features of ZnO:N thin films have been caused by the incorporation of the nitrogen acceptor N0 into ZnOwhat was proven by Second Ion Mass Spectroscopy (SIMS) analysis. The minimum value of resistivity of 790 Omega cm, a Hall mobility of 22 cm(2)V(-1) s(-1) and the carrier concentration of 3.6 x 10(14) cm(-3) were yielded at 75%N-2. X-ray diffraction measurements (XRD) showed that ZnO:N films had the preferential orientation of (002) plane at 25% N-2 and of (100) plane for higher N2 concentrations. The average grain size was from 7 to 42 nm for all Ar/N-2 ratios. ZnO:N films exhibit relatively high microstrains (10 x 10(-3)).

Název v anglickém jazyce

P-Type conduction in Sputtered ZnO Thin films Doped by Nitrogen

Popis výsledku anglicky

Nitrogen doped zinc oxide (ZnO:N) thin films were prepared by RF diode sputtering from ZnO target in different ratio of Ar/N2 gas mixture. The p-type features of ZnO:N thin films have been caused by the incorporation of the nitrogen acceptor N0 into ZnOwhat was proven by Second Ion Mass Spectroscopy (SIMS) analysis. The minimum value of resistivity of 790 Omega cm, a Hall mobility of 22 cm(2)V(-1) s(-1) and the carrier concentration of 3.6 x 10(14) cm(-3) were yielded at 75%N-2. X-ray diffraction measurements (XRD) showed that ZnO:N films had the preferential orientation of (002) plane at 25% N-2 and of (100) plane for higher N2 concentrations. The average grain size was from 7 to 42 nm for all Ar/N-2 ratios. ZnO:N films exhibit relatively high microstrains (10 x 10(-3)).

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of 25th International Conference on Microelectronics

ISBN

1-4244-0117-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Serbia and Montenegro IEEE Section - ED/SSc Chapter

Místo vydání

Belgrade

Místo konání akce

Belgrade

Datum konání akce

14. 5. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000238839700068