Influence of Doping and Co-doping on the Behavior of Sputtered ZnO Thin Films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F11%3A43921796" target="_blank" >RIV/49777513:23640/11:43921796 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/1.3570855" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1149/1.3570855</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/1.3570855" target="_blank" >10.1149/1.3570855</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of Doping and Co-doping on the Behavior of Sputtered ZnO Thin Films
Popis výsledku v původním jazyce
A co-dopand approach was used to investigate influence of gallium-nitrogen co-doping on the microstructure and electrical parameters of ZnO. ZnO:Ga:N thin films were deposited by rf diode sputtering at varying nitrogen content (0 - 100%) in Ar/N2 gas. ZnO:Ga films (0% N2) showed minimum resistivity of 0.12 ohm*cm, electron concentration of 2.5e19 cm-3 and mobility of 2cm2/Vs. A hole concentration of 2.6e18 cm-3, a mobility of 2cm2/Vs and resistivity of 1.5 ohm*cm in ZnO:Ga:N resulted from the depositionwith 100% N2 in Ar/N2 gas.
Název v anglickém jazyce
Influence of Doping and Co-doping on the Behavior of Sputtered ZnO Thin Films
Popis výsledku anglicky
A co-dopand approach was used to investigate influence of gallium-nitrogen co-doping on the microstructure and electrical parameters of ZnO. ZnO:Ga:N thin films were deposited by rf diode sputtering at varying nitrogen content (0 - 100%) in Ar/N2 gas. ZnO:Ga films (0% N2) showed minimum resistivity of 0.12 ohm*cm, electron concentration of 2.5e19 cm-3 and mobility of 2cm2/Vs. A hole concentration of 2.6e18 cm-3, a mobility of 2cm2/Vs and resistivity of 1.5 ohm*cm in ZnO:Ga:N resulted from the depositionwith 100% N2 in Ar/N2 gas.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ECS Transactions
ISBN
978-1-60768-217-2
ISSN
1938-5862
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
141-148
Název nakladatele
The Electrochemical Society
Místo vydání
Pennington
Místo konání akce
Montreal, Canada
Datum konání akce
1. 5. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000305936300016