Structural changes in vapour-assembled n-octylphosphonic acid monolayer with post-deposition annealing: Correlation with bias-induced transistor instability
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F13%3A43919225" target="_blank" >RIV/49777513:23640/13:43919225 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2013.08.025" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2013.08.025</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2013.08.025" target="_blank" >10.1016/j.orgel.2013.08.025</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Structural changes in vapour-assembled n-octylphosphonic acid monolayer with post-deposition annealing: Correlation with bias-induced transistor instability
Popis výsledku v původním jazyce
We report on the link between the structure of n-octylphosphonic acid (C8PA) monolayer implemented in low-voltage organic thin-film transistors (OTFTs) based on aluminium oxide/C8PA/pentacene and the kinetics of the transistor bias-induced degradation. Structural changes in the vapour-deposited C8PA monolayer, studied by Fourier Transform Infrared (FTIR) spectroscopy, are induced by annealing. Changes in the threshold voltage, subthreshold slope, ?eld-effect mobility, and the transistor on-current are measured as functions of the bias stress time and fitted with stretched exponential functions.
Název v anglickém jazyce
Structural changes in vapour-assembled n-octylphosphonic acid monolayer with post-deposition annealing: Correlation with bias-induced transistor instability
Popis výsledku anglicky
We report on the link between the structure of n-octylphosphonic acid (C8PA) monolayer implemented in low-voltage organic thin-film transistors (OTFTs) based on aluminium oxide/C8PA/pentacene and the kinetics of the transistor bias-induced degradation. Structural changes in the vapour-deposited C8PA monolayer, studied by Fourier Transform Infrared (FTIR) spectroscopy, are induced by annealing. Changes in the threshold voltage, subthreshold slope, ?eld-effect mobility, and the transistor on-current are measured as functions of the bias stress time and fitted with stretched exponential functions.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JE - Nejaderná energetika, spotřeba a užití energie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Organic Electronic
ISSN
1566-1199
e-ISSN
—
Svazek periodika
14
Číslo periodika v rámci svazku
11
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
3000-3006
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—